サンディスクと東芝は、世界最大容量の 3 ビット/セル (X3) 48 層 3D NAND フラッシュ チップの提供に向けて準備を整えています
世界の高速 NAND フラッシュ チップをめぐる戦いが本格的に始まりました。サムスンが出荷開始2015 年 5 月に同社の 3D 垂直 NAND (V-NAND) 搭載ポータブル SSD T1 を発表し、本日サンディスクと東芝は世界最高容量の 3D NAND フラッシュ チップを製造中であると発表しました。
サンディスクと東芝今日発表されました彼らは、次に密度の高いメモリの 2 倍の容量を提供する 256 ギガビット (32 GB)、セルあたり 3 ビット (X3) の 48 層 3D NAND フラッシュ チップを製造しているとのことです。これらのチップは現在、日本の四日市にある新しい製造工場で製造されており、来年までに顧客に提供される予定です。
3D NAND フラッシュ チップは、PC やその他の機器に搭載される大容量ソリッド ステート ドライブの機会を開きます。現在のところ、Flash は従来のハードディスクに比べて軽量でサイズが軽いため、軽量ラップトップ、最速のデータセンター、ほぼすべてのスマートフォンやタブレットのストレージ オプションとして使用されています。
3D NAND は、コンポーネントを驚異的な精度で垂直層に積み重ねることによって機能し、競合する NAND テクノロジーよりも 3 倍高いデータ容量を持つデバイスを作成します。これにより、より小さなスペースでより多くのストレージが可能になり、さまざまなモバイル消費者デバイスだけでなく、最も要求の厳しい企業の導入においても大幅なコスト削減、低消費電力、より高いパフォーマンスを実現します。
データ セルが個々の原子のサイズに近づき始めるにつれ、従来の「平面型」NAND は実用的なスケーリングの限界に近づきます。これはメモリ業界にとって大きな課題となっています。 3D NAND は、フラッシュ ストレージをムーアの法則、つまりパフォーマンスの向上とコスト削減の指数関数的な傾向に合わせて維持することで劇的な影響を及ぼし、将来的にはフラッシュ ストレージのより広範な使用を促進する準備ができています。
15ナノメートルのリソグラフィプロセス技術を使用した新しい256Gビットフラッシュチップは、消費者向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカード、データセンター向けのエンタープライズSSDなど、多様なアプリケーションに適していると両社は述べた。
両社がBiCS（ビット・コスト・スケーリング）と呼ぶ垂直フラッシュ・スタッキング技術に基づいた新しいフラッシュ・メモリは、以前の2ビット（マルチレベル・セル）と比較して、トランジスタ（トリプルレベル・セルまたはTLC）あたり3ビットのデータを保存します。東芝がBiCSで生産していたメモリはMLC）でした。
「これは世界初の 256Gb X3 チップであり、業界をリードする当社の 48 層 BiCS テクノロジーを使用して開発され、X3 テクノロジーにおけるサンディスクの継続的なリーダーシップを実証しています。私たちはこのチップを使用して、顧客に魅力的なストレージソリューションを提供していきます」とサンディスクのメモリテクノロジー担当エグゼクティブバイスプレジデントであるシバ・シバラム氏は声明で述べた。
この 3D NAND 設計の主な製品特徴は次のとおりです。
- 大容量– 既存のテクノロジーの 3 倍の容量、ダイあたり最大 48 GB の NAND を実現し、750 GB を 1 つの指先サイズのパッケージに収めることができます。 –
- GB あたりのコストの削減– 第一世代の 3D NAND は、プレーナ NAND よりも優れたコスト効率を達成するように設計されています。
- 速い– 高い読み取り/書き込み帯域幅、I/O 速度、ランダム読み取りパフォーマンス。
- 緑– 新しいスリープ モードにより、（同じパッケージ内の他のダイがアクティブな場合でも）非アクティブな NAND ダイへの電力をカットすることで低電力使用が可能になり、スタンバイ モードでの消費電力が大幅に削減されます。
- 頭いい– 革新的な新機能により、前世代に比べて遅延が改善され、耐久性が向上し、システム統合も容易になります。
